半导体材料 复习 本文关键词：复习，半导体材料
半导体材料 复习 本文简介：第一章绪论1．半导体材料的五大特性：整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。电导与所加电场的方向有关，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导通，这就是半导体的整流效应。2．能带结构3．外
半导体材料 复习 本文内容：
第一章
绪论
1．半导体材料的五大特性：整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应
所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。
电导与所加电场的方向有关，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导通，这就是半导体的整流效应。
2．能带结构
3．外延生长：在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延生长。如果衬底材料和外延层是同一种材料，称为同质外延；如果衬底材料和外延层不是同一种材料，称为异质外延
4．摩尔定律：1965年英特尔公司主要创始人摩尔提出了“随着芯片上电路的复杂度提高，元件数目必将增加，每个元件的成本将每年下降一半”。1965，Gordon
Moore
预测半导体芯片上的晶体管数目每两年翻两番，存储器容量每三年，翻两番。
5．（简答）半导体概念及分类
物质根据其导电能力分为导体，绝缘体和半导体，半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料，半导体也是因为这个得名。半导体具有五大特性：整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应。半导体具有和导体及绝缘体不同的能带结构。
（1）禁带宽度的不同，又可分为：窄带隙半导体材料，Si，Ge；宽带隙半导体材料，GaN，ZnO，SiC，AlN；
（2）化学组分和结构的不同，又可分为：元素半导体、化合物半导体、固溶体半导体、非晶半导体、微结构半导体、有机半导体和稀磁半导体等
（3）使用功能的不同，可分为：电子材料、光电材料、传感材料、热电致冷材料等
第二章
半导体材料的基本性质
1．（简答）P型、n型半导体概念及pn节相关知识
为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质，这些半导体称为杂质半导体，可以分为：N型半导体和P型半导体。以
在硅或锗的晶体中掺入少量的
5
价杂质元素，即构成
N
型半导体(或称电子型半导体)。V族杂质在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质。
在硅或锗的晶体中掺入少量的
3
价杂质元素，即构成
P
型半导体(或称空穴型半导体)。III族杂质在硅中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心，称为受主杂质。
2．
自补偿效应：有些半导体中，既有n型杂质又有p型杂质。N型杂质和P型杂质先相互补偿，称为自补偿效应。
第三章
元素半导体材料
轻掺杂
掺杂浓度为1017
cm-3，杂质离子100%电离
中度掺杂
掺杂浓度为1017～1019
cm-3，载流子浓度低于掺杂浓度
重掺杂
掺杂浓度大于1019
cm-3
第四章
化合物半导体材料
高亮度白光LED的实现：
通过红、绿、蓝三种LED组合成为白光；
基于紫外光LED，通过三基色粉，组合成为白光；
基于蓝光LED，通过黄色荧光粉激发出黄光，组合成为白光。
第五章
固溶体半导体材料
凡在固体条件下，一种组分（溶剂）内“溶解”了其它组分（溶质）而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体相互溶解而形成的一种具有半导体性质的固态溶液材料，又称为混晶半导体或者合金半导体。
固溶体基本性质：半导体的重要参数，如晶格常数和带隙等随组分变化而发生连续变化。因而可以通过对其组分的控制来调节材料的基本性质。采用固溶体原理来制备或开发各种新的材料，满足科技的发展对材料性能提出的特殊性要求
第六章
非晶、有机和微结构半导体材料
非晶能带模型：
短程有序－－基本能带
长程无序－－定域态带尾
悬挂键－－带隙中间形成隙态
第八章
半导体电子材料
（简答）材料优值的概念，为什么选用Si？
材料的某些基本性质决定材料优值，并用此材料优值来定量比较，常用的几种材料优值有：约翰逊优值、凯斯优值、巴利加优值、高频器件用材料优值、热性能优值
Si材料的优点：资源丰富、易于提高到极纯的纯度；较易生长出大直径无位错单晶；易于对进行可控n型和p型掺杂；易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料；易于进行腐蚀加工；带隙大小适中；硅有相当好的力学性能；硅本身是一种稳定的绿色材料；可利用多种金属和掺杂条件在硅上制备低阻欧姆接触；容易截断或者解理硅晶体；硅表面上很容易制备高质量的介电层－－SiO2；
多晶Si的优点：多晶硅具有接近单晶硅材料的载流子迁移率和象非晶硅那样进行大面积低成本制备的优点；重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等；轻掺杂的多晶硅薄膜常用于MOS存储器的负载电阻和其他电阻器；多晶硅薄膜由于具有比非晶硅TFT更高的载流子迁移率、更快的开关速度、更高的电流驱动能力、可与CMOS工艺兼容等特点；
非晶Si的优点：非晶硅薄膜是器件和电路加工所用表面钝化膜材料之一；对活性半导体表面进行钝化对提供器件性能、增强器件和电路的稳定性、可靠性；提高其封装成品率等有重要作用。
第九章
半导体光电子材料
产生激光的条件：
1.
形成粒子数反转，使受激辐射占优势
2.
具有共振腔以实现光量子放大
3.
外界输入能量至少要达到阈值，使激光管的增益至少等于损耗
第十章
其他半导体材料
热电优值的概念以及如何提高热电优值
第十一章
半导体材料的制备
区域熔炼的原理
篇2：某半导体有限公司废水处理方案
某半导体有限公司废水处理方案 本文关键词：废水处理，半导体，方案，有限公司
某半导体有限公司废水处理方案 本文简介：一、项目概述某半导体有限公司位于某某市某某路，占地面积为万平方米，目前已建部分占地约三分之一，已建成并投产的为半导体器件“封装和测试”项目，生产的类型属于塑料封装器件，主要生产工艺流程为：芯片整理切割绕线封装测试成品生产过程中主要废水为清洗废水，并有一定量的倾槽废液，现针对上述生产废水、废液，提出本
某半导体有限公司废水处理方案 本文内容：
一、
项目概述
某半导体有限公司位于某某市某某路，占地面积为
万平方米，目前已建部分占地约三分之一，已建成并投产的为半导体器件“封装和测试”项目，生产的类型属于塑料封装器件，主要生产工艺流程为：
芯片整理
切割
绕线
封装
测试
成品
生产过程中主要废水为清洗废水，并有一定量的倾槽废液，现针对上述生产废水、废液，提出本治理方案，请公司领导和上级主管部门审核，提出宝贵意见。
二、
废水分类、水质、水量及处理目标
1.
根据业主提供的有关资料及我司对其生产工艺的现场了解，并结合我司在同类型工程中积累的工程经验，将产生废水分为清洗废水和倾槽废液，具体见下表：
序号
名称
水量
（m3/d）
pH
COD
(mg/L)
BOD
(mg/L)
SS
(mg/L)
Cu
(mg/L)
Ni
(mg/L)
Pb
(mg/L)
Sn
(mg/L)
1.
清洗废水
350
1～8
3580
1290
450
80～100
3～5
840
3340
2.
倾槽废液
5
13
350000
5000
20000
2000
2000
15000
60000
2.
本项目经处理后与生活污水一起排入某污水处理厂，达到《污水综合排放标准》（GB8978-1996）三级标准；总镍和总铅需单独达标（生产废水），具体指标如下：
pH
CODcr
(mg/L)
BOD5
(mg/L)
SS
(mg/L)
Cu
(mg/L)
Ni
(mg/L)
Pb
(mg/L)
氨氮
(mg/L)
总磷
(mg/L)
石油类
(mg/L)
6～9
500
300
400
0.5
1.0
1.0
35
8
20
三、
设计依据及遵循的标准、规范
1．
业主提供的数据和相关资料。
2．
唐受印等编《水处理工程师手册》化学工业出版社；
3．
汪大翠、徐新华等编《工业废水中专项污染物处理手册》化学工业出版社；
4．
《污水综合排放标准》（GB8978-1996）中华人民共和国国家标准；
5．
《室外排水工程规范》（GBJ14-87）中华人民共和国国家标准；
四、
设计原则
本设计遵循如下原则进行工艺路线的选择及工艺参数的确定：
1.
采用成熟、合理、先进的处理工艺。
2.
废水处理具有适当的安全系数，各工艺参数的选择略有富余。
3.
在满足工艺要求的条件下，尽量减少建设投资,降低运行费用。
4.
处理设施具有较高的运行效率，以较为稳定可靠的处理手段完成工艺要求。
5.
处理设施应有利于调节、控制、运行操作。
6.
在设计中采用耐腐蚀设备及材料，以延长设施的使用寿命。
7.
所有设计应满足国家相关专业设计规范和标准；
8.
所有设备的供应安装应满足国家相关专业施工及安装技术规范；
9.
所有工程及设备安装的验收及资料应满足国家相关专业验收技术规范和标准。
五、
废水处理工艺的分析及确定
本废水处理工程拟采用新技术—高压脉冲电解床处理重金属离子废水。我公司集多年工程经验开发研制的新一代“高压脉冲电解”技术，具有去除效率高，处理费用少，又便于操作等特点。该项技术已在多家印染（棉、麻、化纤、毛）厂、垃圾填埋场成功运转，并取得较好的环境效益和经济效益。
用高压脉冲电解技术处理重金属离子废水有以下特点：
（1）
重金属去除效率高，出水水质好；
（2）
运行费用低，占地少，维护管理方便；
（3）
常温下操作不受季节变化影响，启动快。装置既可连续工作，也可间断运行；
（4）
适应废水水质变化的能力强，当废水浓度变化时，调整电流、电压、波形等参数即可保证出水水质。
高压脉冲电解技术系电化学法，在进行废水处理时，借助外加电流的作用产生电化学反应，当脉冲电流经电极通过电解质溶液（废水）时，电解床的阳、阴二极间便产生电子迁移，从而引起以下电化学及化学反应：
（1）
氧化反应：废水在惰性阳极产生OH-放电而生成氧。这是一种新生态氧，有较强的氧化能力，能对水中无机物和有机物进行氧化。
（2）
还原反应：在电解的同时，在阴极的离子获得电子，形成氢，这种初生态氢有很强的还原作用。
（3）
电气浮：电解过程中，阳极和阴极表面不断产生氧气和氢气，并以微小气泡逸出，使废水中的有机胶体微粒、SS、油等经气浮予以分离。
（4）
混凝作用：采用可溶性金属（如低碳钢板）作阳极，电解中阳极金属发生溶解，以离子状态溶于水中，经水解产生氢氧化物[如Fe(OH)3、Fe(OH)2……
此类电解物质比同类化学产品有更强的活性，能产生强烈的混凝沉降作用。
重金属离子经高压脉冲电解装置处理后可达到排放要求。
六、
工艺流程图
清洗废水
清洗水调节池
高压脉冲电凝装置
NaOH
PAM
pH计
胶凝反应槽1
机械搅拌
沉淀池1
混合反应槽
NaOH
PFS
pH计
机械搅拌
胶凝反应槽2
沉淀池2
pH计
H2SO4
膜生物反应器
排放取样计量池
达标排放
耐腐泵浦2
污泥、浮渣
TO
污泥池
TO
污泥池
TO
污泥池
倾槽废液
滤液
倾槽废液贮槽
耐腐泵浦1
Ca(OH)2
PFS
PAM
pH计
废液处理槽
气动隔膜泵
机械搅拌
TO
污泥池
污泥
PAM
机械搅拌
污泥、浮渣
气动隔膜泵
压滤机
泥饼外运处置
污泥池
污泥
七、
各处理设施说明及计算
1.
倾槽废液贮槽
将倾槽废液收集于此，利用原有贮槽，大小尺寸为φ2500*3500mm，容积15m3。
2.
耐腐泵浦1
将废液提升至处理槽，选用耐酸碱泵浦SD40012L，流量：5m3/h，扬程：12m，共两台，一用一备。
3.
废液处理槽
将收集的废液在槽中进行预处理，投加Ca(OH)2，PFS，PAM，使大部分重金属离子形成氢氧化物共聚物。
池体大小为φ1500*3000mm，A3钢内FRP防腐，每次处理量为3m3。内设PH计一套，其测程为0～14，电压220V；搅拌机一套，转速为50r/min，功率为0.75kw；配套PH控制电磁加药机3套，型号为：日本尼可尼AHA41，流量为150
l/h。
4.
气动隔膜泵
将废液处理槽中形成的泥水混合物泵入污泥池，选用英格索兰的气动隔膜泵，型号为：66605J-344，共两台，一用一备。
5.
污泥池
污泥池用来存放处理过程中形成的污泥和浮渣，利用原有污泥槽，大小尺寸为φ2000*3500mm，容积10m3。
6.
气动隔膜泵
将污泥池泥渣泵入压滤机脱水，选用英格索兰的气动隔膜泵，型号为：666172-322-C，共两台，一用一备。
7.
压滤机
泥、渣在此进行脱水处理，处理后泥饼外运处置，滤液回调节池。利用原有压滤机，过滤量为130GPM。
8.
清洗水调节池
清洗水调节池用来贮放生产过程中产生的清洗废水，和经过预处理的废液，池体大小30m3，采用PE材质水箱。
9.
耐腐泵浦2
将废水提升至高压脉冲电凝装置，选用耐酸碱泵浦SD50032L，流量：15m3/h，扬程：13m，共两台，一用一备。
10.
高压脉冲电凝装置
池体尺寸长×宽×高分别为4000*2000*3500mm，采用PP材质，附控制电源系统一套。
11.
胶凝反应槽1
池体尺寸长×宽×高分别为1500*1500*2500mm,设计反应时间为20min，池体有效容积为5m3，采用A3钢结构，池体内衬FRP。
内设PH计一套，其测程为0～14，电压220V；搅拌机一套，转速为12r/min，功率为0.55kw；配套PH控制电磁加药机两套，型号为：日本尼可尼AHA41，流量为150
l/h。
12.
沉淀池1
用于废水的固液分离。采用斜板沉淀池，池体尺寸长×宽×高分别为4000*2200*4500mm，设计沉淀区表面负荷为1.70m3/(m2.h)，沉淀时间为1.5小时。
池体采用A3钢结构，内衬FRP；内设PP斜板，板间距为150mm；出水采用UPVC锯齿溢流堰。
13.
混合反应槽
池体尺寸长×宽×高分别为1500*1500*1500mm,设计反应时间为12min，池体有效容积为3m3，采用A3钢结构，池体内衬FRP。
内设PH计一套，其测程为0～14，电压220V；搅拌机一套，转速为86r/min，功率为0.75kw；配套PH控制电磁加药机两套，型号为：日本尼可尼AHA41，流量为150
l/h。
14.
胶凝反应槽2
池体尺寸长×宽×高分别为1500*1500*2500mm,设计反应时间为20min，池体有效容积为5m3，采用A3钢结构，池体内衬FRP。
内设搅拌机一套，转速为12r/min，功率为0.55kw；配套PH控制电磁加药机一套，型号为：日本尼可尼AHA41，流量为150
l/h。
15.
沉淀池2
用于废水的固液分离。采用斜板沉淀池，池体尺寸长×宽×高分别为4000*2200*4500mm，设计沉淀区表面负荷为1.70m3/(m2.h)，沉淀时间为1.5小时。
池体采用A3钢结构，内衬FRP；内设PP斜板，板间距为150mm；出水采用UPVC锯齿溢流堰。
16.
膜生物反应器
采用进口高级中空纤维膜，集废水生化、沉淀、过滤与一体，拥有较高的微生物浓度，搞冲击负荷能力强，出水质量稳定。
池体大小5000*3000*4000mm，净容积60m3，停留时间为4小时。
17.
排放取样计量池
对处理后的达标废水进行采样分析及计量，取样排放池A3钢结构，内衬FRP防腐。
池体大小为5000×800×800mm，采用PSL-2号槽，附超电脑声波流量计。
八、
售后服务
我公司从设计、施工、设备制造、安装、调试、培训和配合验收一条龙服务，工程质量达到优良，设备制造符合国家标准，标准设备选用先进中外合资产品。
本公司宗旨：以一流的技术，一流的质量，一流的服务，并对产品实行三包，保证用户满意。本工程在一年内发现质量问题由我公司免费负责维修（人为因素除外），并长期负责维修。如发现问题我司工程师在24小时内到达现场解决问题。
九、
甲方自备部分
1.
废水引入调节池；
2.
排放水自排放槽接至管网；
3.
一次侧电源接至控制箱；
4.
自来水接至废水处理区域；
5.
6kg/cm2的气源接至污泥系统；
6.
施工时提供水、电等配套设施。
7.
调试期间的药剂及相关物品；
8.
项目验收的监测费用。
篇3：某半导体材料厂房建筑防火设计问题及探讨
某半导体材料厂房建筑防火设计问题及探讨 本文关键词：防火，厂房，探讨，建筑，半导体材料
某半导体材料厂房建筑防火设计问题及探讨 本文简介：某半导体材料厂房建筑防火设计问题的探讨摘要：结合工程实例介绍现代工业建筑中的解决厂房防火（防爆）问题的思路和途径。关键词：防火设计防爆设计耐火等级安全疏散材料选择与构造节点设计一、工程概况某半导体材料厂的生产工艺在世界上属先进水平，且具有部分我国自主知识产权。该行业如此规模的生产厂房国内外上尚无先例
某半导体材料厂房建筑防火设计问题及探讨 本文内容：
某半导体材料厂房建筑防火设计问题的探讨
摘要：结合工程实例介绍现代工业建筑中的解决厂房防火（防爆）问题的思路和途径。
关键词：防火设计
防爆设计
耐火等级
安全疏散
材料选择与构造节点设计
一、工程概况
某半导体材料厂的生产工艺在世界上属先进水平，且具有部分我国自主知识产权。该行业如此规模的生产厂房国内外上尚无先例可循。厂房占地面积28000m2，总建筑面积31380m2，根据工艺条件，此厂房共有两大功能，一是实验室办公部分（共三层，首层面积约3980m2，二层面积约2200m2，三层面积约3750m2），二是生产车间部分（首层为设备用房，面积约6970m2，二层为管道设备层，面积约7920m2，三层为工艺用房，面积约6500m2）。建筑外形尺寸：东西向长约150m，南北向长约90m，主体建筑是两幢三层高厂房，厂房中间由一两层高底层架空的连接体连接（底层空间可兼做消防车道），厂房柱顶标高为24.25m，钢筋混凝土框架结构，外围护结构采用加气混凝土砌块，局部屋面和墙面采用压型钢板材料（压型钢板用于有泄爆要求部位），内隔墙采用200厚的加气混凝土砌块。
二、对相关要点的定性分析
1.火灾危险性分类、耐火等级及防火分区的确定
对于厂房的建筑防火设计，首先要确定的就是其生产的火灾危险性分类和耐火等级，这是各专业开展消防设计的基础条件。工艺专业提供的设计条件说明，在车间工艺用房及管道夹层部分有氢气泄露的可能，根据《建筑设计防火规范》（GB
50016―2006）第3.1.1条表3.1.1及其条文说明，
氢气属于爆炸下限小于10%的气体，其生产的火灾危险性类别为甲类。
工艺设计考虑到厂房的规模和生产特点，提出了大面积、大空间厂房的设计条件。但从防火设计考虑，为限制发生火灾时火势的蔓延，保证人员的安全撤退，利于火灾扑救和减少火灾损失，根据《建筑设计防火规范》（GB
50016―2006）对防火分区的规定，甲类厂房的最低耐火等级为二级，二级耐火等级的最大防火分区面积为2000
m2，一级耐火等级的最大防火分区面积为3000
m2。依据工程实际情况，位于南面的生产车间三层的工艺用房原本是一个整体，整层的建筑面积达到6500
m2左右，超过了一级耐火等级甲类建筑的最大允许防火面积的两倍，由于工艺条件的限制，不允许我们设置自动喷淋来增加防火面积，比较可行的解决办法就是将原来的一个工艺用房彻底分成两个独立的一级耐火等级的工作区域，或是彻底分成三个独立的二级耐火等级的工作区域，其间用双道防火防爆墙体分隔，工艺设备的管道也随之分成几个相应独立的单元，结合工艺的具体生产情况，最后设计选用了设置两个一级防火分区的方案，达到规范的要求。
2.防爆设施与泄压面积的确定
此厂房车间工艺用房及管道夹层部分，设备一旦发生泄漏，氢气在空气中很容易达到爆炸浓度而造成危险，根据《建筑设计防火规范》（GB
50016―2006）规定，应设置泄压设施，有爆炸危险的厂房设置足够的泄压面积后，可大大减轻爆炸时的破坏强度，避免因主体结构遭受破坏而造成重大人员伤亡和经济损失，且在甲、乙类厂房内不应设置办公室、休息室等设施，当必须与厂房贴邻建造时，其耐火等级不应低于二级，并应采用耐火极限不低于3.00h
的不燃烧体防爆墙隔开和设置独立的安全出口。通过“规范”
（GB
50016―2006），有爆炸危险的甲、乙类厂房应首选采用敞开或半敞开式，其泄压面积应根据“规范”
（GB
50016―2006）3.6.3条中规定的氢气泄压比值，通过计算得到厂房泄压面积的数值，泄压设施宜采用轻质屋面板、轻质墙体和易于泄压的门、窗等。在本厂房的具体设计中，两个一级防火分区之间、实验室非危险区域与生产厂房危险区域之间的墙体都采用了砖墙配筋作为防爆设施，在工艺用房及管道夹层两个危险区域采用了以下方法设置了必要的泄压设施：位于二层的管道夹层部分，首先采用了半敞开式无围护墙体，考虑到跨度较大，中间连接部分又比较封闭的因素（由于工艺原因，此部分必须紧贴设备房间，无法做到敞开或半敞开），在二层的顶棚设计中，除保留了工艺必要的交通运输走廊，其余部分均采用了压型钢板屋面，尽可能地通过增加顶棚泄压面积，缓解厂房中间连接部分墙体泄压面积的不足；三层工艺用房部分，因有一定洁净要求不允许采取敞开或半敞开形式，则采用了轻质压型钢板墙面，易于泄压的塑钢窗和轻质压型钢板屋面的方式满足厂房泄压面积的要求，而在工艺运输走廊和疏散通道部分，还是采用实体墙作为防爆设施，保证疏散通道的安全。实际计算证明，尽可能地扩大屋面和顶棚的泄压面积是满足爆炸危险厂房泄压面积的一条有效途径。
三、建筑防火设计要点
1.总平面布局
总平面的防火设计主要是控制防火间距并合理设置消防车道。根据此半导体材料厂房及其周围建筑物的生产类别和耐火等级，查“规范”
（GB
50016―2006）确定防火间距。该厂房的生产类别为甲类，根据“规范”
（GB
50016―2006）6.0.6条，“工厂、仓库区内应设置消防车道。占地面积大于3000m2
的甲、乙、丙类厂房或占地面积大于1500m2
的乙、丙类仓库，应设置环形消防车道”，在厂房的两幢建筑之间设置了26m的消防通道，最小柱间距为6m，二层净高高于5m，使得两幢建筑都有环行消防通道，其总平面设计均满足防火设计要求。
2.厂房的安全疏散设计
厂房的安全疏散设计主要包括两个方面，一个是疏散出口数目的确定，另一个是疏散出口的位置。
2.1疏散出口的数目
根据厂房的平面面积和布置，其底层的高压电气用房都有单独对外的出口，而低压电气用房和其他设备用房都保证有不少于两个的疏散出口，二层设备夹层及实验室部分分别设置了12部室外疏散楼梯和两部室内封闭楼梯间，由于受工艺条件的限制，在二层设备夹层内部不允许设置封闭楼梯间，此处用室外金属梯作为有爆炸危险的工段区域的疏散出口，还在夹层的两旁各设置了1.5
m宽的疏散通道，直接通往各个室外金属梯，尽量避免人员疏散时在危险区域的行走路线。三层的情况与二层的类似，也是通过在厂房两侧分别设置疏散门直接通往室外金属梯，并在厂房与金属梯相连的走廊两侧设置实体墙作为防爆设施，确保疏散走廊的安全。
3.建筑构件及节点处理
由于该厂房底部两层采用了钢筋混凝土框架结构，外维护墙体为300厚的加气混凝土砌快，内墙为200厚的加气混凝土砌快，能满足非承重外墙0.75h，疏散走道两侧的隔墙1.0h，房间隔墙0.75h耐火等级的要求；三层采用了轻钢结构屋面体系，金属本身的耐火性能较差，因此，一定要根据建筑耐火等级检验建筑各部位材料是否达到要求。如：一般的钢梁钢屋架耐火极限为0.25h，在本工程中因其耐火极限为一级，所以，其梁的耐火极限应不低于2.0h，屋顶承重构件的耐火极限应不低于1.5h，因此，屋面体系的各部分构件都应进行防火处理使其达到相应的耐火极限。本厂房的钢屋架部分采用了喷涂薄型防火涂料的方式。
结语
以上是对某半导体材料厂房建筑防火设计的分析要点，随着新材料新技术在工业建筑中的广泛应用，其建筑防火设计也面临着诸多新问题，例如随着项目规模的逐渐扩大，工艺设计更趋向于联合厂房的布置形式，即把相关联的生产车间紧密连在一起，钢结构厂房现代化的外观、较短的建设周期、灵活的布置，厂房建设设计也更趋向于钢结构形式，在这些情况下，厂房的消防设计就更复杂，防火分区和消防疏散成为难题。作为设计人员，不能违反强制性条文，又要满足主体专业和业主的使用功能，在这种情况下，我们应紧跟时代发展，用新思路新方法处理新问题，以满足生产生活的需要。
参考文献：
[1]《建筑设计防火规范》（GB
50016―2006）
[2]《工业建筑的更新设计》工业建筑2006年第36卷第3期