模拟电子技术基础-知识点总结 本文关键词：知识点，电子技术，模拟，基础
模拟电子技术基础-知识点总结 本文简介：第一章半导体二极管1.本征半导体q单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。q导电能力介于导体和绝缘体之间。q特性：光敏、热敏和掺杂特性。q本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子
模拟电子技术基础-知识点总结 本文内容：
第一章
半导体二极管
1.本征半导体
q
单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
q
导电能力介于导体和绝缘体之间。
q
特性：光敏、热敏和掺杂特性。
q
本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
u
空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
u
在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体
q
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
u
P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
u
N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
q
杂质半导体的特性
u
载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
u
体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
u
在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结
q
在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
q
PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
q
PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
u
正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
u
反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
u
PN结的伏安（曲线）方程：
4.半导体二极管
q
普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。
u
单向导电性：正向导通，反向截止。
u
正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
u
死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。
q
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
u
若
V阳
>V阴
(正偏)，二极管导通(短路);
u
若
V阳
u-时，uo=+Uom
，当u+ q 基本运算电路 n 反相比例运算电路 R2 =R1//Rf n 同相比例运算电路 R2=R1//Rf n 反相求和运算电路 R4=R1//R2//R3//Rf n 同相求和运算电路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 n 加减运算电路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 n 积分运算 n 微分运算