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异或门版图设计报告

异或门版图设计报告 本文关键词:版图,报告,设计

异或门版图设计报告 本文简介:西安科技大学高新学院微电子专业实验报告专业:微电子班级:1001姓名:黄升学号:1001050120指导老师:王进军设计软件:tanner软件实验目的和要求:1、掌握L-edit软件的基本设定和集成电路工艺和版图的图层关系。2、根据性能和指标要求,明确设计要求和规则。3、电路版图实现过程中电源线的走

异或门版图设计报告 本文内容:

西安科技大学

高新学院

微电子专业实验报告

专业:

微电子

班级:

1001

姓名:

学号:1001050120

指导老师:王进军

设计软件:tanner软件

实验目的和要求:

1、掌握L-edit软件的基本设定和集成电路工艺和版图的图层关系。

2、根据性能和指标要求,明确设计要求和规则。

3、电路版图实现过程中电源线的走法。

4、掌握L-edit和S-edit仿真环境,完成异或门的仿真。

5、掌握LVS环境变量。

异或门版图的设计方法:

1、确定工艺规则。

2、绘制异或门版图。

3、加入工作电源进行分析。

4、与LVS比较仿真结果。

实验内容:

完成COMS异或门版图设计,COMS异或门原理如下,要求在S-edit中画出每一电路元件,并给出输入输出端口及电源线和地线。

(一)异或逻辑关系式及真值表:F=A⊕B=A′B+

AB′

A

B

F

0

0

0

0

1

1

1

0

1

1

1

0

(二)原理图:

(三)版图:

(四)仿真分析:

Main

circuit:Module0

.include“E:/ProgramFiles/tannerEDA/T-Spice10.1/models/m12_125.md

M1

N3

A

Gnd

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M2

F

B

N3

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M3

F

N3

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M4

N3

A

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M5

F

B

A

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M6

F

A

B

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

v7

Vdd

Gnd

5.0

v8

B

Gnd

pulse(0.05.00

In

In

100n

200n)

v9

A

Gnd

pulse(0.05.00

In

In

100n

400n)

.tran

In

800n

.print

tran

v(A)

v(B)

v(F)

End

of

main

circuit:Module0

上升沿

下降沿

均10n

v8

B

Gnd

pulse(0.05.00

10In

10In

100n

200n)

v9

A

Gnd

pulse(0.05.00

10In

10In

100n

400n)NODE

NAMEALASES1=Gnd(10.5,-12)2=Vdd(12,37)4=B(15,12)5=A(5,13)6=F(72,13)

.include“E:/ProgramFiles/tannerEDA/T-Spice10.1/models/m12_125.md

M1

F

B

A

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

$(68.5

25

70.5

30)

M2

3

A

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

$(44.5

25

46.5

30)

M3

F

A

M4

F

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(20.5

25

22.5

30)

M4

F

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(68.5

-3.5

70.5

1.5)

M5

3

A

Gnd

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(44.5

-3.5

46.5

1.5)

M6

F

3

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(21

-3.5

23

1.5)

v5

Vdd

Gnd

5.0

v6

B

Gnd

pulse(0.05.00

In

In

100n

400n)

v7

A

Gnd

pulse(0.05.00

In

In

100n

200n)

.tran

In

800n

.print

tran

v(A)

v(B)

v(F)

用LVS对比异或门的原理图和版图是否一致

原理图.sp

Main

circuit:Module0

M1

N3

A

Gnd

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M2

F

B

N3

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M3

F

N3

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M4

N3

A

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M5

F

B

A

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24u

M6

F

A

B

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

AD=66p

PD=24u

AS=66p

PS=24uEnd

of

main

circuit:Module0

版图.spcNODE

NAMEALASES1=Gnd(10.5,-12)2=Vdd(12,37)4=B(15,12)5=A(5,13)6=F(72,13)

M1

F

B

A

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

$(68.5

25

70.5

30)

M2

3

A

Vdd

Vdd

PMOS

L=2u

W=22u

$(44.5

25

46.5

30)

M3

F

A

M4

F

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(20.5

25

22.5

30)

M4

F

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(68.5

-3.5

70.5

1.5)

M5

3

A

Gnd

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(44.5

-3.5

46.5

1.5)

M6

F

3

B

Gnd

NMOS

L=2u

W=22u

$(21

-3.5

23

1.5)

设置好setup1

7

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